|
| ブランド名: | Seacent |
| Model Number: | AWGの破片 |
| MOQ: | 1部分 |
| 支払条件: | L/C、T/T、D/P |
| 供給能力: | 1ヶ月あたりの100,0000部分 |
1.2 DBの損失の均等性の100Ghz AWGの破片Cバンド低い混線
記述:
AWG （配列された導波管の格子）はWDM （） PON波長分割多重方式システムのための主装置である光学ネットワークおよび次世代FTTHを構成する。AWGは電力なしで波長信号を分けるPLC装置である。
配列された導波管の格子のもう一つの名前はAWGである。それはWDM-PONを使用する。これは高速伝達によって手動光学伝達プロダクトの1対1方法行う。方法はイメージの大容量記憶装置信号、電話を送信して、データ等は分けられた16によって光学のちょうど1ライン、32人のメンバーを同時に使用した。そしてまた、それは中国で使用し、インドはそれら十分光通信設備ではない。なおどこにあった、長距離伝達区域を必要としなさい。
指定:
|
100Ghz間のCバンド間隔 |
|||
|
変数 |
単位 |
ガウス |
平屋建家屋 |
|
波長の正確さ |
nm |
±0.04 |
±0.04 |
|
完全な1dB帯域幅 |
nm |
>0.2 |
>0.4 |
|
十分に3 dBの帯域幅 |
nm |
>0.4 |
>0.6 |
|
光学挿入損失 |
dB |
3.5 |
4.5 |
|
損失の均等性 |
dB |
1.2 |
1.2 |
|
隣接チャネル混線 |
dB |
27.0 |
27.0 |
|
Non-adjacentチャネルの混線 |
dB |
30.0 |
30.0 |
|
光学リターン・ロス |
dB |
>40 |
>40 |
|
分極の損失 |
dB |
<0.5 |
<0.5 |
|
サイズ |
mm |
<37.8x<32.5 （正方形、カーブのタイプ） |
|
|
実用温度 |
℃ |
-40- 85 |
|
特徴
適用
ビジネス利点
サービス:
（1） 8年間以上大きい顧客に役立つことの経験
（2）独自にプロダクト解決および包装の解決を顧客に提供するため
（3）に強い戦略パートナがある
技術:
（1） 15年間光学装置の高精度の包装の生産で専門的に従事させていて
（2） 15年間の技術的なチーム
（3）に自身の基幹技術がある
研究開発:
（1）は技術の研究および革新の費用として年間売上の5%に付着する
（2）独立した開発の破片
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| ブランド名: | Seacent |
| Model Number: | AWGの破片 |
| MOQ: | 1部分 |
| 支払条件: | L/C、T/T、D/P |
1.2 DBの損失の均等性の100Ghz AWGの破片Cバンド低い混線
記述:
AWG （配列された導波管の格子）はWDM （） PON波長分割多重方式システムのための主装置である光学ネットワークおよび次世代FTTHを構成する。AWGは電力なしで波長信号を分けるPLC装置である。
配列された導波管の格子のもう一つの名前はAWGである。それはWDM-PONを使用する。これは高速伝達によって手動光学伝達プロダクトの1対1方法行う。方法はイメージの大容量記憶装置信号、電話を送信して、データ等は分けられた16によって光学のちょうど1ライン、32人のメンバーを同時に使用した。そしてまた、それは中国で使用し、インドはそれら十分光通信設備ではない。なおどこにあった、長距離伝達区域を必要としなさい。
指定:
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100Ghz間のCバンド間隔 |
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変数 |
単位 |
ガウス |
平屋建家屋 |
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波長の正確さ |
nm |
±0.04 |
±0.04 |
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完全な1dB帯域幅 |
nm |
>0.2 |
>0.4 |
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十分に3 dBの帯域幅 |
nm |
>0.4 |
>0.6 |
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光学挿入損失 |
dB |
3.5 |
4.5 |
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損失の均等性 |
dB |
1.2 |
1.2 |
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隣接チャネル混線 |
dB |
27.0 |
27.0 |
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Non-adjacentチャネルの混線 |
dB |
30.0 |
30.0 |
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光学リターン・ロス |
dB |
>40 |
>40 |
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分極の損失 |
dB |
<0.5 |
<0.5 |
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サイズ |
mm |
<37.8x<32.5 （正方形、カーブのタイプ） |
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実用温度 |
℃ |
-40- 85 |
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特徴
適用
ビジネス利点
サービス:
（1） 8年間以上大きい顧客に役立つことの経験
（2）独自にプロダクト解決および包装の解決を顧客に提供するため
（3）に強い戦略パートナがある
技術:
（1） 15年間光学装置の高精度の包装の生産で専門的に従事させていて
（2） 15年間の技術的なチーム
（3）に自身の基幹技術がある
研究開発:
（1）は技術の研究および革新の費用として年間売上の5%に付着する
（2）独立した開発の破片
